Preparasi Dan Penentuan Energi Gap Film Tipis TiO2:Cu Yang Ditumbuhkan Menggunakan Spin Coating

Abstract

Lapisan tipis TiO₂ doping Cu telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat kaca dengan teknik spin coating. Lapisan tipis TiO₂: Cu dibuat dengan konsentrasi doping 1 hingga 10 wt.% dengan suhu annealing 500^oC. Hasil analisis spektrum transmitansi pada daerah UV-Vis menunjukkan bahwa lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan suhu annealing 500^oC memiliki energy gap untuk transisi langsung sebesar 3,51-3,59 eV dan untuk transisi tidak langsung sebesar 3,26-3,57 eV. Energy gap paling sempit yang dapat dicapai pada lapisan tipis TiO₂: Cu dengan suhu annealing 500^oC adalah pada konsentrasi Cu 8%. Penggunaan doping Cu dapat memperlebar spektrum serapan cahaya dari lapisan tipis TiO₂ sehingga lapisan tipis TiO₂: Cu dapat diaplikasikan sebagai anti pantulan pada sel surya.